近日,飓芯科技获得B轮融资,规模高达3亿元,由深创投和中国国新领投,广发信德、盛景网联、荷塘创投等跟投。此次融资用于公司柳州基地的产能扩建、中小功率产品升级、多款大功率产品市场放量、人才引进等。

天眼查显示,飓芯科技成立于2017年,专注于氮化镓半导体激光芯片的研发与量产,覆盖紫光、蓝光、绿光等多波长产品,功率范围包括小、中、大功率全系列。

其创始人胡晓东来自北大物理学院,核心研发团队氮化镓(GaN)激光芯片领域深耕逾20年,曾承担国家863重大专项,2004年实现国内首次实现波长为405nm的脊型波导氮化镓基激光器的电注入激射,为中国氮化镓基激光器零的突破做出重要贡献。

2020年以来,飓芯科技攻克了氮化镓晶体外延缺陷控制、谐振腔设计等八大技术难题,于2023年在广西柳州建成了国内首条氮化镓半导体激光芯片量产线,并投入实际生产。拳头产品为大功率蓝绿光激光二极管(如405-600nm波段),应用于激光投影、有色金属焊接、3D打印、光刻及生物检测等领域,2024年率先实现国产大功率芯片批量供货。

截至目前,飓芯科技是国内唯一实现氮化镓激光芯片量产的企业,打破了日本、德国企业长达20年的垄断,成为国产替代的核心力量。其柳州基地产能持续扩张,2024年产值达1.3亿元,预计2025年增长至2亿元,市场份额与海外巨头平分秋色。

氮化镓激光芯片行业,属于半导体光电子器件领域的核心分支,主要涵盖基于氮化镓材料的激光器设计、制造及应用。氮化镓材料凭借宽禁带(~3.4eV)、高电子迁移率、高热导率及优异抗辐射性等特性,成为高功率、高效率激光器的理想选择,广泛应用于工业加工(切割/焊接)、医疗(手术/美容)、通信(5G/数据中心)、激光雷达及量子通信等领域。

近年来,全球氮化镓激光芯片市场规模增长迅猛,从2019年的10亿美元增至2024年的20亿美元(年复合增长率超15%),中国市场增速更快,2019年规模约3亿美元,预计2024年达10亿美元(年复合增长率超30%),主要受5G基建、自动驾驶及智能制造需求驱动。

国际巨头如美国IPG Photonics、Cree及德国TRUMPF凭借技术先发优势主导高端市场,尤其在工业与通信领域份额领先。中国企业如安徽格恩半导体、苏州镓锐芯光及飓芯科技等通过IDM模式(设计-制造-封测一体化)加速国产替代,例如格恩2023年实现量产并突破1.5亿元销售额,飓芯科技则建成国内首条氮化镓激光芯片量产线(2023年)。