近日，中国原子能科学研究院抗辐照应用技术创新中心对经典的电子器件质子单粒子效应（SEE）截面预测模型——突发产生率（BGR）模型进行了证明与修正，修正后的模型有助于深入开展质子单粒子效应机制研究，并为建立更为可靠的器件空间抗辐射性能评估方法提供助力；同时，经修正的模型也适用于中子单粒子效应，为开展日益受到关注的大气中子单粒子效应研究提供了重要工具。（原子能院）